Транзистор K7N60 MOSFET n-channel 600 В 7 А TO-220F

Транзистор MOSFET K7N60 является мощным N-канальным полевым транзистором с каналом на основе кремния, разработанным специально для высокочастотного применения. Он может использоваться в различных электронных устройствах, таких как усилители, генераторы, преобразователи и другие схемы, где требуется усиление или переключение сигнала.

Основными характеристиками транзистора MOSFET K7N60 являются:

– Напряжение сток-исток (VDS): 600 вольт. Это максимальное напряжение, при котором транзистор может работать без повреждения.
– Ток стока (ID): 7 ампер. Это максимальный ток, который может протекать через транзистор без его повреждения.
– Мощность стока (PD): 125 ватт. Это максимальная мощность, которую может рассеивать транзистор без перегрева.
– Граничная частота (FBS): 10 мегагерц. Это частота, при которой коэффициент усиления по мощности становится равен 1.
– Сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)): 0,018 ом. Это сопротивление между стоком и истоком при открытом канале транзистора.